サムスン電子がフラッシュメモリーに対する絶え間ない研究・開発(R&D)で、世界トップクラスの学術誌に論文を掲載した。
サムスン電子は14日、半導体ニュースルームを通じて学術誌「Advanced Materials」にフラッシュメモリー貯蔵原理に関する論文を掲載したと明らかにした。
サムスン電子革新センターのCSE（Computational Science and Engineering）チームは、従来とは差別化されたアプローチを通じ、フラッシュメモリー情報貯蔵の核心的な役割を果たす非晶質シリコン窒化物で電子が安定して貯蔵される根本原理を明らかにすることに成功した。
CSEチームはスーパーコンピューターのような高性能コンピューターを活用し、半導体の工程、メモリーをはじめとする多様な素子の電気的特性、素材の多様な特性などのシミュレーションを担当する部署だ。
彼らが執筆した論文はその優秀性が認められ、材料工学分野の世界トップクラスの学術誌であるAdvanced Materialsに掲載されたというのが会社側の説明だ。 今回の研究で、これまで見過ごしてきた原子レベルでの作動原理を明らかにしたことに意義がある。
これまで業界では原子レベルでフラッシュメモリーの根本的な貯蔵メカニズムに関連して最近までも論争と研究が続いてきた。
また、Vナンドも世代を重ね、高度な微細化が必要なだけに、原子レベルで起きる現象の根本的な理解は今後のメモリ開発革新のために必要な過程と見なされた。
非晶質シリコン窒化物に電子を安定的に取っておくのが貯蔵原理だが、具体的な内容を今回の研究で明らかにしたのだ。
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