サムスン電子が19日(現地時間)、グローバル自動車産業のメッカである欧州(ドイツ・ミュンヘン)で、「サムスンファウンドリーフォーラム2023」を開催し、最先端工程ロードマップと電装(Automotive)など応用先別のファウンドリ戦略を公開した。
同日、サムスン電子は最先端の2ナノ工程から8インチウェハーを活用したレガシー工程に至るまで、多様なオーダーメード型ソリューションを披露した。
さらに、SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)パートナーらはブース展示を通じて最新ファウンドリ技術トレンドと今後の発展方向を共有した。
サムスン電子は9月初めのIAA行事に続き、今回のフォーラムでも欧州顧客との協力を拡大し、電装分野の核心パートナーとしての地位を強化している。
サムスン電子のチェ·シヨンファウンドリー事業部社長は“車両用半導体市場に最適化された工程を適期に開発し、自律走行段階別の人工知能(AI)半導体から電力半導体、MCU(Micro Controller Unit)などを顧客のニーズに合わせて量産していく計画”とし、“サムスン電子だけの差別化されたファウンドリソリューションで、電気自動車と自律走行車時代を先導していく”と明らかにした。
サムスン電子は、最先端の2ナノ電装ソリューションの量産準備を2026年に完了する一方、次世代eMRAM（embedded Magnetic Random Access Memory、内蔵型MRAM）と8インチBCD工程ポートフォリオを拡大する。
特に、今回のフォーラムで、業界初の5ナノeMRAM開発計画を明らかにするなど、次世代電装ファウンドリ技術を先導するという抱負も明らかにした。 eMRAMは速い読み取りと書き込み速度を基盤に、高温でも安定的に動作できる電装用次世代核心メモリー半導体だ。
サムスン電子は2019年、業界で初めて28ナノFD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)工程基盤のeMRAMを搭載した製品を量産した経緯があり、現在、2024年完了を目標にAEC-Q100(Automotive Electronic Council)グレード1に合わせてフィンフェット(FinFET)工程基盤の14ナノeMRAMを開発中だ。
また、2026年8ナノ、2027年5ナノまでeMRAMポートフォリオを拡大する計画だ。 8ナノeMRAMの場合、以前の14ナノ対比集積度30%、速度33%が増加するものと期待される。
サムスン電子は8インチBCD工程ポートフォリオも強化する。 サムスン電子は現在量産中の130ナノ電装BCD工程を2025年90ナノまで拡大し、90ナノ電装BCD工程は130ナノ対比約20%チップ面積減少が期待される。
また、DTI(Deep Trench Isolation)技術を活用し、全方向ソリューションに適用される高電圧を既存の70ボルト(Volt)から120ボルトに高める予定であり、130ナノBCD工程に120ボルトを適用した工程設計キット(PDK)を2025年に提供する計画だ。
一方、サムスン電子は今回、ドイツと米国（6月）、韓国（7月）のほか、今月17日に日本でも「サムスンファウンドリーフォーラム2023」を開催した。
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