サムスン電子が単一チップ基準では歴代最大容量である32ギガビット(Gb)Dラムの開発に成功した。
サムスン電子は1日、業界初の12ナノ級32Gb DDR5 Dラムを開発したと明らかにした。 Dラム単一チップ基準で、歴代最大容量だ。
今年5月、12ナノ級16Gb DDR5 Dラムを量産したのに続き、業界最大容量である32Gb DDR5 Dラムを開発し、Dラム微細工程競争で技術リーダーシップを強固にすることになったという評価だ。 これで64キロビット（Kb）Dラムを開発した1983年以後、40年ぶりにDラム容量を50万倍増やした。
特に、今回の32Gb製品は同一パッケージサイズでアーキテクチャ改善を通じて16Gb Dラム対比2倍容量を具現し、128ギガバイト(GB)モジュールをシリコン貫通電極(TSV)工程なしに製作できるようになった。 これまでは32Gb以下の容量Dラムで128GBモジュール製作時、TSV工程を必ず使わなければならなかった。
TSV工程はチップを薄く切った後、数百つの微細な穴を開け、上段チップと下段チップの穴を垂直に貫通する電極を連結した先端パッケージング技術を意味する。
また、同じ128GBモジュール基準で、16Gb Dラムを搭載したモジュール対比約10%消費電力改善が可能であり、データセンターなど電力効率を重要視するIT企業に最適なソリューションになるだろうという期待だ。 12ナノ級32Gb DDR5 Dラムは年内量産する。
一方、サムスン電子は今回の12ナノ級32Gb DDR5 Dラム開発を通じ、大容量Dラムラインナップを持続的に拡大していく計画だ。 また、人工知能(AI)時代を主導する高容量、高性能、低電力製品で、グローバルIT企業と協力して次世代Dラム市場を牽引していく。
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