[サムスン電子、業界最先端技術が適用された12ナノ級Dラム開発]
サムスン電子が半導体業界の最新技術が適用された製品を生産し、技術超格差を維持していく。
サムスン電子が業界最先端の12ナノ級工程で16Gb(ギガビット)DDR5 Dラムを開発し、最近、AMDと共に互換性検証を終えたと21日、明らかにした。
12ナノ級工程は5世代10ナノ級工程を意味する。 サムスン電子は誘電率(K)が高い新素材適用で、電荷を貯蔵するキャパシタ(Capacitor)の容量を高め、回路特性改善のための革新的な設計などを通じ、業界最先端の工程を完成した。
また、マルチレイヤーEUV(極紫外線·Extreme Ultra-Violet)技術を活用し、業界最高水準の集積度で開発された。 12ナノ級Dラムは前世代製品対比生産性が約20%向上した。
DDR5規格の今回の製品は、最大動作速度7.2Gbpsを支援する。 これは1秒に30GB容量のUHD映画2本を処理できる速度だ。 この製品は前世代の製品より消費電力が約23%改善され、気候危機克服に参加しているグローバルIT企業に注目を集めるものと見られる。
サムスン電子は性能と電力効率の改善を通じて12ナノ級Dラムラインナップを拡大していく計画であり、データセンター·人工知能·次世代コンピューティングなど多様な応用先に供給する予定だ。
サムスン電子は2023年から業界最先端、最高性能の12ナノ級Dラムを量産すると同時に、グローバルIT企業と協力し、次世代Dラム市場を牽引していく計画だ。
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