[SKハイニックス、世界初の「HKMG工程」適用のモバイルDラム開発]
SKハイニックスが世界で初めてHKMG(High-K Metal Gate)工程を適用した低電力モバイルDラムを開発した。
SKハイニックスは9日、モバイルDラム製品としては初めてHKMG工程を導入したLPDDR5X（Low Power Double Data Rate 5X）の開発を完了し、最近、販売を開始したと明らかにした。
HKMG工程は誘電率の高い物質をDラムトランジスタ内部の絶縁膜に使用し、漏れ電流を防ぎ、静電容量を改善した次世代工程だ。 速度を速め、消耗電力を減らすという特徴だ。
モバイル用Dラムと呼ばれるLPDDRは、規格名に低電力を意味する「LP(Low Power)」という表現が使われるが、それだけ低い電力消費が最大のカギである製品だ。 現在、LPDDRは第7世代の5Xまで開発された。
今回の製品は国際半導体標準協議機構が定めた超低電圧の範囲である1.01~1.12ボルト(V)で作動し、前世代対比の消費電力を25%減らすことに成功した。 これで業界最高の電力使用効率性を確保したというのが会社側の説明だ。
また、HKMG工程の導入で、速度も向上した。 LPDDR5Xは前世代対比33%速い8.5ギガビットファーセカンド(Gbps)の動作速度を誇る。
SKハイニックス側は“市場の流れを逃さず、LPDDR開発を絶えず続けてきた”とし、“昨年、業界最大容量である18GB LPDDR5を量産し、今年は業界最速のLPDDR5Xを開発し、メモリー半導体の絶対強者であることを改めて示した”と強調した。
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