[写真＝聯合ニュース]
ジョー・バイデン米大統領が20日、訪韓初日程としてサムスン電子半導体平沢（ピョンテク）キャンパスを訪れた。尹錫悦（ユン・ソクヨル）大統領もここでバイデン大統領に初めて会った。韓米両国首脳の間には、サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）副会長がいた。
財界は、今回の韓米首脳会談の核心議題である「経済安保同盟」で半導体が占める地位を象徴的に示していると評価する。米国としては中国の半導体崛起を牽制すると同時に、韓国との協力関係をサムスン電子を足場に強固に固めたわけだ。
サムスン電子は世界半導体市場1位のメーカーで、昨年末基準で世界メモリー半導体（DRAM）市場で42%を占めている。システム半導体部門の中核であるファウンドリー（委託生産）部門では、台湾TSMCに次いで2位となり、18.3%のシェアを確保している。サムスン電子はメモリー半導体に続きシステム半導体まで世界1位を達成するという「ビジョン2030」を2019年に発表した。
バイデン氏が訪れたサムスン電子平沢キャンパスは、総敷地面積が289万平方メートル（87万5000坪）で、汝矣島面積（約290万平方メートル）とほぼ同じた。これは、サッカー場400平方メートルに達する規模だ。平沢第1工場（P1）と第2工場（P2）は単一半導体生産ライン（ファブ）基準でそれぞれ世界最大記録を立てた。完工を控えている3ライン（P3）はさらに大きな規模であり、完工後世界最大規模のファブ記録を立てることが有力だ。
技術力も最高だ。平沢キャンパスで生産される製品は、次世代メモリーと呼ばれるDラムとNANDフラッシュメモリーをはじめ、超微細ファウンドリー製品まで多様だ。2017年に稼動を始めたP1でメモリー半導体を生産しており、2020年に稼動に乗り出したP2ではメモリーとファウンドリー生産が可能な複合ファブだ。
バイデン氏は「バイ・アメリカン」政策を前面に押し出し、外国企業の自国内生産製造施設の建設を促している。特に米国は、中国の半導体崛起を牽制する上で、サムスン電子の積極的な参加を要求している。サムスン電子とTSMCとの技術同盟を強化し、中国の半導体産業の成長を制限しようとする戦略だ。今回の訪韓期間、半導体設計（ファブレス）企業のクアルコムのクリスティアーノ・アモン最高経営責任者（CEO）がバイデン氏と同行したのもこのような脈絡からだ。
サムスン電子は米国の半導体同盟に応えている。李副会長は同日、平沢キャンパスで世界で初めて開発した3ナノメートル工程をバイデン大統領に初めて公開した。3ナノ工程はファウンドリー分野で最も進んだ技術で、サムスン電子がTSMCより優位にある。
サムスン電子はすでに昨年、米テキサス州のテイラー市に170億ドルの投資を確定し、最先端チップを生産するファウンドリー工場計画を確定した。これに対してバイデン大統領は「3000個の新しいハイテク働き口が創出され、これでサムスンが米国ですでに支援している2万個の働き口にさらに追加されるだろう」と感謝を表わした。
特にバイデン大統領はこの席でサムスンSDIと世界4位の完成車メーカーであるステランティスのジョイントベンチャー（JV）設立計画にも言及し、今後サムスンの電気自動車バッテリー分野の追加投資計画も事実上公式化した。現在、具体的な投資金額は決まっていないが、業界ではサムスンが近いうちに兆単位の投資計画を明らかにするだろうと予想している。
これに対し、米国は他の国への輸出が制限される米国の半導体核心装備の供給を許可することができる。特にサムスン電子が期待するのは520億ドル規模の「半導体支援法」恩恵だ。該当法は税制優遇などを通じて施設投資額の40%程度を返すのが骨子だ。米国インテルがサムスン電子、TSMCなど外国企業を排除しようというロビーをしているが、米国内の半導体投資をする企業を恩恵から除外することは難しいという展望が支配的だ。
サムスン電子を中心に韓米間の半導体協力が強化されれば、関連企業間の投資拡大も活発になりうる。財界関係者は「韓米両国首脳のサムスン電子平沢キャンパス会合は両国の半導体同盟を固める礎」とし「今後も韓米経済安保同盟における半導体の役割はより一層大きくなるだろう」と述べた。
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