サムスン電子が業界で初めて「LPDDR5X Dラム」を開発し、グローバル半導体業界における超格差競争力をもう一度証明した。
LPDDRは省電力(Low Power)を使用するDDR(Double Data Rate)Dラムで、サムスン電子は2018年、世界初の8Gb(ギガビット)LPDDR5 Dラムを開発したことがある。
9日、サムスン電子によると、14㎚ (ナノメートル·1m=10億分の1メートル)工程が適用されたLPDDR5Xは向上された速度・容量・節電能力が特徴である。
サムスン電子は次世代のLPDDR製品を通じ、5G、人工知能(AI)、メタバースなど爆発的に成長する未来先端産業に最適化されたメモリーソリューションを提供するものと期待している。
サムスン電子が開発に成功したLPDDR5Xの動作速度は1秒当たり8.5Gbで、現存するモバイルDラムの中で最も速い。 前世代製品のLPDDR5の動作速度(1秒当たり6.4Gb)よりも1.3倍速い。
また、先端の工程を適用し、LPDDR5より消費電力効率を20%ほど改善し、単一チップの容量も16Gbに達する。これを通じ、モバイルDラム単一パッケージ容量を最大64GB(ギガバイト)にまで拡大、5G時代の高容量Dラムの需要に対応するという戦略だ。
このような容量、消費電力効率の向上が可能だった理由は、サムスン電子が今回の製品に業界最先端の14ナノ工程を適用したからだ。
サムスン電子は今年末からグローバルIT顧客との技術協力を通じ、顧客社の次世代技術に対する最適のソリューションを提供し、新規製品群に迅速に転換する方針だ。
また、持続的な性能、電力効率の改善を通じ、先端のモバイルDラム製品群を拡大し、プレミアムDラムの需要に安定的に対応できる量産体制を構築する計画だ。
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