サムスン電子、業界初の「36GB HBM3E」開発に成功
サムスン電子が業界で初めて36GBの高容量5世代HBMの開発に成功し、市場先取りに乗り出す。 サムスン電子は27日、36GB HBM3E 12H(単積層)Dラムの開発に成功したと明かにした。 24Gb(3GB)Dラムチップをシリコン貫通電極(TSV)技術で12段まで積層し、業界最大容量を具現した。 TSVは数千つの微細な穴を開けたDラムチップを垂直に積み上げ、積層されたチップの間を電極で連結する技術だ。 HBM3E 12Hは、1秒当たり最大1280GBの帯域幅と現存最大容量である36GBを提供し、性能と容量ともに前作のHBM3 8Hに比べて50%以上
2024-02-27 15:56:21