SKシルトロンの米国子会社であるSKシルトロンCSSが、米国シリコンカーバイド(SiC)ウェハー工場投資と関連し、米国エネルギー省から5億4400万ドル(約7605億ウォン)規模の融資支援を確保することに成功した。
13日、半導体業界によると、SKシルトロンCSSは5日、米エネルギー省と先端技術車両製造融資プログラム(ATVM)の本契約を完了した。
米エネルギー省傘下の融資プログラム事務局（LPO）は12日（現地時間）、ブログを通じてこのような契約内容を公式発表した。 これは今年2月の条件付き承認に続き、SKシルトロンが特定技術と法律、環境など細部契約条件を満たしたことで確定した。
今回の融資は、米国が次世代電力半導体の核心素材であるシリコンカーバイド(SiC)ウェハーの自国内生産を増やそうとする趣旨だ。
SiCウェハーは、従来のシリコン(Si)ウェハーに比べて高温・高電圧環境に強く、新再生エネルギー、エネルギー貯蔵装置(ESS)はもちろん、電気自動車用電力半導体の中核素材に分類される。
SKシルトロンCSSは今回の投資金と共に、ミシガン州政府から確保した資金を通じ、2027年までにベイシティ工場の増設を完了する計画だ。
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