SKハイニックスは、高帯域幅メモリ（HBM）を超え、次世代メモリ市場を目指した技術戦略を具体化した。人工知能（AI）推論市場の急成長により、メモリ間のデータ移動が新たなボトルネックとして浮上し、カスタマイズ型HBMや高帯域幅フラッシュ（HBF）、3次元積層DRAMなどを通じてAI半導体市場の主導権を維持する計画である。
安賢 SKハイニックス開発総括社長（CDO）は、14日ソウル江南区のコエックスで開催された『第28回半導体大展（SEDEX 2026）』基調講演で、「AIインフラの持続的成長のためには、個別メモリの性能向上を超えて、全体メモリ階層を最適化するアプローチが必要である」と強調した。
安社長は「AI時代、メモリ技術の進化方向」をテーマにした講演で、AI推論需要が急速に増加する中、既存メモリ構造の限界が明らかになっていると診断した。AIモデルの複雑さや処理すべき情報量、推論要求量が同時に増加し、2030年にはAIインフラの規模が今年の19倍に拡大すると予測した。
特に、従来は演算器とメモリ間の速度差が問題であったが、今後はHBMとDRAM、ソリッドステートドライブ（SSD）など異なるメモリ階層間のデータ移動が新たなボトルネックになると見込まれている。これに対し、既存メモリの性能を向上させると同時に、各階層間に新たなメモリ技術を導入する必要があると説明した。
まず、HBMは顧客別AIシステムに合わせて機能を設計するカスタマイズ型製品へと進化させる。SKハイニックスはHBM4EやHBM5など次世代製品を開発する一方で、ベースダイに顧客が要求する機能を搭載するカスタマイズ型HBMを準備している。
安社長は「標準型HBMとカスタマイズ型HBMが並行するが、長期的にはカスタマイズ型トレンドがさらに拡大するだろう」と述べ、「顧客を十分に満足させるための多くの核心技術を備え、準備している」と語った。
HBM以降の技術としてはHBFと3次元積層DRAMを提案した。HBFはHBMの積層技術をNANDフラッシュに適用した次世代メモリであり、SKハイニックスは同世代のHBMに対して半分のデータ転送帯域幅と10倍以上の保存容量を開発目標としている。
HBFの標準化も加速する。SKハイニックスはサンディスクやグーグルなどのグローバルパートナーと協力し、今年7月にオープンコンピュートプロジェクト（OCP）で初期規格を公開し、来年1月に最終規格を策定する計画である。安社長は「多くの顧客とパートナーが共に規格を定義し、標準を制定してエコシステムを作るアプローチがAI時代には必須である」と強調した。
3次元積層DRAMは、グラフィック処理装置（GPU）など演算用半導体の上にDRAMを直接積む技術である。従来のHBMに比べて入出力接続を数十倍拡大し、データ転送性能を向上させ、電力消費を削減することを目指している。
次世代企業向けSSD技術『ストレージネクスト（Storage-Next）』も開発中である。NANDとコントローラー構造を再設計し、従来に比べて入出力処理性能を4〜8倍向上させる技術で、顧客と共同開発を推進している。
安社長は「メモリを部品そのものとしてだけ見てはいない」と述べ、「顧客ごとに要求される技術が異なるため、新たなメモリソリューションを通じてAIエコシステムの持続的成長を導く」と明らかにした。
* この記事はAIによって翻訳されました。
亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。
