サムスン電子が業界で初めて36GBの高容量5世代HBMの開発に成功し、市場先取りに乗り出す。
サムスン電子は27日、36GB HBM3E 12H（単積層）Dラムの開発に成功したと明かにした。 24Gb（3GB）Dラムチップをシリコン貫通電極（TSV）技術で12段まで積層し、業界最大容量を具現した。 TSVは数千つの微細な穴を開けたDラムチップを垂直に積み上げ、積層されたチップの間を電極で連結する技術だ。
HBM3E 12Hは、1秒当たり最大1280GBの帯域幅と現存最大容量である36GBを提供し、性能と容量ともに前作のHBM3 8Hに比べて50%以上改善した。 1秒に30GB容量のUHD映画約40本をダウンロードできる速度を支援する。
特に、熱圧着非伝導性接着フィルム(Advanced TC NCF)技術で、12H製品を8H製品と同じ高さで具現し、HBMパッケージ規格を満足させたというのが会社側の説明だ。 この技術はHBM積層数が増加し、チップの厚さが薄くなって発生しうる反り現象を最小化してくれる。
また、NCF素材の厚さを持続的に下げることで、業界最小チップ間の間隔である7マイクロメートル(um)を具現した。 これにより、HBM3 8H比20%以上向上した垂直集積度を実現した。
今後、人工知能(AI)サービスの高度化でデータ処理量が急増する状況の中で、AIプラットフォームを活用する多様な企業に最高のソリューションになるだろうという期待だ。 性能と容量が増加しただけに、グラフィック処理装置(GPU)の使用量が減り、企業が総所有コスト(TCO)を削減できるなど、リソース管理も柔軟にできるという長所だ
一方、サムスン電子はHBM3E 12Hのサンプルを顧客に提供し始めた。 今年上半期に量産する予定だ。
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