4四半期が始まり、サムスン電子半導体部門の業績改善に関心が集まっている。 持続した不振に3四半期の累積赤字は10兆ウォン以上が予想されるが、4四半期から製品価格上昇と在庫切れ、ここに新規製品効果まで重なり、サプライズ黒字転換を達成できるか注目される。
1日、半導体業界によると、3四半期までのサムスン電子・DS（デバイスソリューション·半導体）の年間累積赤字は10兆ウォンをはるかに上回るものと推算される。 サムスン電子・半導体部門は上半期に計8兆9400億ウォンに達する赤字を記録した。
これに金融投資業界は今第3四半期、サムスン電子半導体部門の赤字が2兆~4兆ウォン規模を記録するものと見ている。 1四半期よりは確実に減るという展望と4兆ウォン台で上半期と似た水準の赤字を出すという見解が混在する状況だ。
HBM・DDR5など高性能Dラムに対する需要が次第に回復しているが、全体メモリー半導体業況を生かすにはまだ力不足だ。 半導体輸出は先月まで13ヵ月連続の減少を記録し、不振が続いている。
ただ、4四半期からは主要メモリー半導体価格が上昇し、赤字規模が大幅に減る見通しだ。 市場調査会社のガートナーも今年4四半期からDラム価格が3四半期対比17.8%上昇するものと予想した。
固定取引価格の先行指標である現物価格も反騰している。 先月21日、市場調査会社のDRAMエクスチェンジによると、前日基準でPC用DRAM汎用製品であるDDR4 8ギガビット(Gb)の現物価格は今月に入って上昇傾向を記録し、1.49ドルに進入した。 DDR5 16Gb製品も0.42%上昇した4.1ドルを記録した。
また、サムスン電子は4四半期からNVIDIAに高帯域幅メモリー「HBM3」を納品する見通しだ。 HBMは複数のDラムを垂直に連結し、従来のDラムよりデータ処理速度を革新的に引き上げた高付加価値・高性能製品だ。 AI市場が拡大し、HBMが半導体企業の新しい成長動力として浮上している。
半導体業界の関係者は“今年末にDラムとNAND在庫は頂点に達した2四半期対比50~60%減少し、正常水準に接近する展望”とし、“今年4四半期からサムスン電子は3兆ウォン規模の累積メモリー在庫評価損失還入で、今後実績推定値が上方修正される展望”と分析した。
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