[李在鎔副会長“歴史は創っていくもの”…新たな未来の開拓要請]
サムスン電子の李在鎔(イ・ジェヨン)副会長が半導体研究所を訪れた。 新年の第一歩だ。
李在鎔副会長は2日、華城(ファソン)事業所内にある半導体研究所を訪れ、サムスン電子が世界で初めて開発した3ナノ工程技術の報告を受け、デバイスソリューション(DS)部門社長団とともに次世代半導体戦略を議論した。
この席で李会長は“過去の実績が未来の成功を保障してくれない”とし、“歴史は待つのではなく、作っていくものだ”と述べた。
彼はさらに、"誤った慣行と事故は果敢に廃棄し、新しい未来を開拓していこう"、"我々の隣人、社会と共に分かち合い、ともに成長するのが我々の使命であり、100年企業に至る道であることを肝に銘じよう"と強調した。
李副会長が半導体開発現場で初の歩みを始めたのはメモリに続き、システム半導体分野でも世界1位になるというビジョンをもう一度役員や従業員と共有しながら、目標達成への意志を固めたという分析だ。
半導体微細化の限界を克服できる次世代技術のGAA(Gate-All-Around)を適用した3ナノ半導体は最近、工程開発を完了した5ナノ製品に比べ、チップ面積を約35%以上減らすことができる。 消費電力も50%減少させ、性能(処理速度)は約30%向上させることができる。
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