サムスン電子、HBM4開発完了…量産準備段階に突入
サムスン電子が第6世代高帯域幅メモリー(HBM4)の開発を完了し、本格的な量産前の準備段階に突入する。 2日、半導体業界によると、サムスン電子の半導体(DS)部門メモリー事業部は同日、HBM4に対するPRA(Production Readiness Approval)を終えた。 PRAは半導体開発工程のうち、6番目の段階で、最終段階である量産承認前の最後の段階だ。 PRA承認は事実上、製品開発が完了し、量産前の最終関門に到達したことを知らせる信号と見ることができる。 HBM4は前世代対比データ伝送速度(帯域幅)とメモリー容量、伝送通路(I/O)
2025-12-03 13:49:33