AI（人工知能）市場の急拡大に伴い半導体メモリー需要が激変するなか、韓国サムスン電子が汎用（はんよう）DRAM市場での主導権を固めた。一方、生成AI向け半導体の核心部品である高帯域幅メモリー（HBM）市場では、SKハイニックスが過半数のシェアを維持し、依然として圧倒的な優位性を誇っている。
市場調査会社のカウンターポイントリサーチが25日に発表したデータによると、今年第1四半期（1〜3月期）の世界DRAM市場（売上高基準）で、サムスン電子がシェア38%を獲得し首位をキープした。2位のSKハイニックス（29%）、3位の米マイクロン・テクノロジー（22%）を突き放す格好となった。
昨年第4四半期に首位を奪還したサムスンは、今期もトップの座を維持し、SKハイニックスとのシェア差を9ポイントにまで拡大。汎用メモリー市場における底力を立証した。
両社の攻防は激しさを増している。昨年第1・第2四半期はSKハイニックスが首位に立ったが、第3四半期に両社が33%で並び、第4四半期からはサムスンが再びリードを広げる展開が続いている。
台頭する中国勢の汎用・旧型メモリ市場では中国の長鑫存儲技術（CXMT）の躍進も目立つ。CXMTはシェアを昨年の3%から今年第1四半期には8%へと急拡大させており、先行する大手を猛追している。
なお、DRAM市場全体はAIサーバー向け投資の拡大に支えられ、第1四半期の市場規模は前四半期比80%増、前年同期比では260%増と爆発的な急成長を遂げた。
市場の関心が集まる高付加価値のHBM市場では、SKハイニックスの独走態勢が続く。
今年第1四半期の売上高基準の世界HBM市場シェアは、SKハイニックスが58%でトップ。サムスン電子とマイクロンはそれぞれ21%で同率2位となった。SKハイニックスのシェアは、前年同期の69%からは低下したものの、依然として過半数を大きく上回る圧倒的な水準を維持している。
ただし、下半期以降はサムスン電子による本格的な反撃が予想される。サムスンは次世代製品である「HBM4」を米エヌビディア（NVIDIA）へ初めて供給する見通しで、これがシェア拡大の起爆剤になるとみられている。
カウンターポイントリサーチは、「サムスン電子は現時点で（HBM市場の）後塵を拝しているが、エヌビディアへのHBM4の初納入を機にシェアを伸ばしていくと予想される。現在のHBM売上高の大部分は第5世代の『HBM3E』が占めており、次世代HBM4の供給効果が本格化するのは下半期以降になるだろう」と分析した。
一方、NAND型フラッシュメモリ市場では、サムスン電子がシェア29%で首位を守った。2位はSKハイニックス（18%）、3位にキオクシア（14%）がつけ、マイクロン、ウエスタンデジタル（サンディスク）、中国の長江存儲科技（YMTC）がそれぞれ13%で並んだ。
NAND市場でも中国勢の存在感が増している。中国のYMTCは、メモリー供給不足に伴う価格上昇の恩恵を受け、昨年のシェア8%から13%へと大幅に拡大。主要サプライヤーの一角としての地位を固めつつある。
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