サムスン電子、オンデバイスAI最適化のUFS 5.0を開発…業界初

業界最高のデータ転送速度10.8GB/秒…電力効率も40%改善

「モバイルストレージの新たな基準を提示し、AIモバイル革新を主導」

サムスン電子 UFS 5.0 製品 [写真=サムスン電子]

サムスン電子は、ネットワーク接続なしでデバイス自体で人工知能（AI）を動作させる「オンデバイスAI」に最適化した次世代モバイルメモリを業界初で開発した。

23日、サムスン電子によると、スマートフォンをはじめとする各種モバイル機器でデータ保存装置として活用できる業界最高性能の「UFS 5.0」メモリを開発した。今年第4四半期から本格的な量産に入る計画である。

UFSは高性能内蔵型フラッシュメモリで、データ保存装置としての役割だけでなく、モバイル機器が生成型AIを実現できるようにAIモデルと大容量データを迅速にRAMに伝達し、アプリケーションプロセッサ（AP）がAI演算を行えるように支援する。

膨大なデータをデバイス自体で処理する必要があるオンデバイスAI機器において、このようなUFSのような半導体の役割は必須である。

今回開発が完了したサムスン電子UFS 5.0メモリは、迅速なデータ転送と電力効率を同時に実現したという特徴がある。

サムスン電子の先進的な9世代V-NAND（V9）を基に開発され、業界最高水準の毎秒10.8ギガバイト（GB/s）のデータ転送帯域幅を備えている。従来のUFS 4.1に比べて速度が約2倍以上向上した。4K、8Kなどの高画質映画1本を超える大容量データをより迅速に保存し処理できることを意味する。

電力効率も大幅に改善された。UFS 5.0には使用しない回路の動作を遮断する「クロックゲーティング」と回路ごとの最適電圧を適用する「マルチ電圧技術」などが適用された。これにより、前作に比べて電力効率を40%以上向上させた。同じ量のデータを転送する際の消費電力を大幅に低下させ、モバイル機器のバッテリー使用時間が延びる効果がある。

製品サイズも縮小された。サムスン電子は横7.5㎜、縦13㎜、高さ0.9㎜のパッケージを実現し、前作に比べて面積を約16.7%縮小した。これにより、スマートフォンはもちろん、スマートウォッチ、AIウェアラブル、拡張現実（XR）機器など、さまざまなフォームファクターの設計柔軟性が高まった。これを通じて最大1テラバイト（TB）まで提供する計画である。

なお、今回の製品は国際半導体標準協議機関（JEDEC）の最新内蔵型フラッシュメモリ規格であるUFS 5.0インターフェースを適用した。

チェ・チャンソクサムスン電子メモリ事業部商品企画チーム長は「オンデバイスAI時代には、保存装置が単なるデータ保存スペースを超え、AI体験を決定する核心要素として位置づけられている」と述べ、「サムスン電子は業界初のUFS 5.0開発完了を通じて、次世代モバイルストレージの新たな基準を提示し、AIモバイル革新を引き続き主導していく」と明らかにした。

* この記事はAIによって翻訳されました。

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