サムスン電子が今年の累積高帯域幅メモリー(HBM)の売上が100億ドルを突破するものと予想した。
サムスン電子・メモリー事業部のキム·ギョンリュン商品企画室常務は2日、自社ニュースルーム寄稿文を通じ、“今年下半期はHBM供給改善で、人工知能(AI)サーバー拡散が加速化するだけでなく、一般サーバーとストレージ需要も増加する好循環が明確に現れるだろう”と明らかにした。
それと共に、“サムスン電子は2016年、業界で初めて高性能コンピューティング(HPC)用HBM事業化を始め、AI用メモリー市場を本格的に開拓した”とし、“2016年から2024年まで予想される総HBM売上は100億ドルを越えるだろう”と展望した。
キム常務は“サムスン電子はHBM3E 8段製品について先月から量産に入っており、業界内の高容量製品に対する顧客ニーズの増加傾向に歩調を合わせ、業界で初めて開発した12段製品も第2四半期内に量産する予定”とし、“ランプアップも加速化する計画”と述べた。
サムスン電子は今後、成長する生成型AI向け需要への対応に向け、HBMキャパの拡大と共に、供給を引き続き増やしていく方針だ。
特に、顧客別に最適化された「オーダーメード型HBM」製品で、顧客会社の需要を満たすという計画だ。
キム常務は“最近、HBMには「オーダーメード型HBM」という表現が付き始めた”とし、“これはAI半導体市場でメモリー半導体がこれ以上汎用製品ではないということを意味する”と述べた。
それと共に、“サムスン電子は顧客別に最適化された「オーダーメード型HBM」製品で主要顧客の需要を満たす計画”とし、“HBM製品はDRAMセルを使って作ったコアダイとシステムオンチップ(SoC)とのインターフェースのためのバッファダイで構成されるが、顧客はバッファダイ領域に対してオーダーメード型IP設計を要請することができる”と述べた。
続けて“これはHBM開発および供給のためのビジネス計画からDラムセル開発、ロジック設計、パッケージングおよび品質検証に至るまで、すべての分野で差別化および最適化が主要競争要因になることを意味する”と付け加えた。
サムスン電子は、次世代HBMの超格差を達成するため、メモリーだけでなく、ファウンドリ、システムLSI、AVPの差別化された事業部の力量とリソースを総集結し、境界を越える次世代革新を主導していく計画だ。
このため、サムスン電子は今年初めから各事業部の優秀エンジニアたちを集め、次世代HBM専担チームを構成し、オーダーメード型HBM最適化のための研究および開発に拍車をかけている。 キム常務は“業界で短時間について来られない総合半導体力量を土台に、AI時代にふさわしい最適のソリューションを持続的に披露する予定”と述べた。
一方、サムスン電子はDラム技術の超格差を維持するため、10ナノ以下のDラムに垂直チャンネルトランジスタ（VCT）を活用する新しい構造に対する先制的な研究開発を進めており、2030年に3D Dラムの商用化に乗り出す計画だ。
オンデバイスAI関連製品も拡大している。 PC・ノートパソコンDラム市場の勢力図を変えるLPCAMM2を昨年9月に業界で初めて開発し、既存のLPDDRに比べて高帯域幅を持っており、機器から生成されるデータをリアルタイムで処理できるLLWを開発中だ。
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