SKハイニックスは19日、次世代HBM生産とアドバンスドパッケージング技術の力量を強化するため、台湾TSMCと緊密に協力することにしたと明らかにした。
両社は最近、台湾の台北で、技術協力のための了解覚書（MOU）を締結し、SKハイニックスはTSMCと協業し、2026年に量産予定のHBM4（第6世代HBM）を開発する計画だ。
SKハイニックスは“AIメモリーグローバルリーダーである当社はファウンドリ1位企業のTSMCと力を合わせ、もう一度のHBM技術革新を引き出す”とし、“顧客-ファウンドリ-メモリーにつながる3者間の技術協業を土台に、メモリー性能の限界を突破するだろう”と述べた。
両社はまず、HBMパッケージ内の最下段に搭載されるベースダイの性能改善に乗り出す。 HBMはベースダイの上にDラム単品チップであるコアダイを積み上げた後、これをTSV技術で垂直連結して作られる。 TSVはDラムチップに数千つの微細な穴を開け、上層と下層チップの穴を垂直に貫通する電極で連結する相互連結技術だ。 ベースダイはGPUと連結され、HBMをコントロールする役割を果たす。
SKハイニックスは第5世代のHBM3Eまでは独自工程でベースダイを作ったが、HBM4からはロジック先端工程を活用する計画だ。 このダイを生産するのに超微細工程を適用すれば、多様な機能を追加できるからだ。 会社はこれを通じ、性能や電力効率など、顧客の幅広いニーズに応えるオーダーメード型HBMを生産する計画だ。
これと共に、両社はSKハイニックスのHBMとTSMCの先端パッケージング(結合)工程であるCoWoS技術結合を最適化するために協力し、HBM関連顧客要請に共同対応することにした。
SKハイニックス・AIインフラ担当のキム·ジュソン社長は“TSMCとの協業を通じて最高性能のHBM4を開発することはもちろん、グローバル顧客との開放型協業にも速度を上げる”とし、“今後、当社は顧客オーダーメード型メモリープラットフォーム競争力を高め、「トータルAIメモリープロバイダ」の地位を確実にする”と述べた。
TSMCのKevin Zhang首席副社長は“TSMCとSKハイニックスは数年間強固なパートナーシップを維持し、最先端ロジックチップとHBMを結合した世界最高のAIソリューションを市場に供給してきた”とし、“HBM4でも両社は緊密に協力し、顧客のAI基盤革新にキーになる最高の統合製品を提供する”と述べた。
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