SKハイニックスが米国インディアナ州ウェストラファイエットにHBM(高帯域幅メモリー)など人工知能(AI)メモリー用先端パッケージング(結合)生産工場を建設し、パデュー大学（Purdue University）など現地研究機関と半導体研究・開発に協力することにしたと4日、明らかにした。 SKハイニックスは同事業に38億7000万ドル（約5兆2000億ウォン）を投資する計画だ。
SKハイニックスは3日（現地時間）、ウェストラファイエット・パデュー大学で、インディアナ州とパデュー大学、米政府関係者らと共に投資協約式を行い、このような計画を公式発表した。
SKハイニックスは2028年下半期からインディアナ工場で次世代HBMなどAIメモリー製品を量産する予定だ。 会社は“SKハイニックスはウェストラファイエット施設を通じてグローバルAI半導体供給網を活性化する先頭に立つ”とし、“インディアナ州に建設する生産基地と研究開発施設を土台に、現地で1000ヶ以上の働き口を創出し、地域社会発展にも寄与する”と明らかにした。
生成AIの熱風が吹き、HBMなど超高性能メモリーの需要が急増し、処理装置とメモリー、またはメモリーとメモリーを結合する先端パッケージング技術の重要性が非常に大きくなったとSKハイニックス側は説明した。
SKハイニックスはAIメモリー市場の主導権を継続するため、米国に先端後工程分野の投資を決定し、最適の敷地を探してきた。 米国はAI分野のビッグテック顧客が集中しており、先端後工程分野の技術研究も活発に進められている。
これに対し、SKハイニックスは多様な候補地を検討した末、インディアナ州を最終投資地に選定した。 州政府が投資誘致に積極的に乗り出し、地域内の半導体生産に必要な製造インフラも豊富だからだ。 半導体など先端工学研究で有名なパデュー大学がある点も高い評価を受けた。
SKハイニックスはインディアナ州と地域社会発展のためのパートナーシップを構築し、パデュー研究財団、地域非営利団体と慈善団体の活動も支援する予定だ。
SKハイニックスは米国の投資とは別に、従来計画していた国内投資も支障なく推進すると明らかにした。 SKハイニックスは120兆ウォンを投資し、龍仁（ヨンイン）半導体クラスターに半導体生産施設を建設している。 SKハイニックスは2025年3月、龍仁クラスターに初めてのファブを着工し、2027年初めに完工し、素材・部品・装備中小企業の技術開発と実証、評価などを支援する「ミニファブ」も建設する計画だ。 ミニファブとは半導体素材・部品・装備などを実証するために300㎜ウェハー工程装備を備えた研究施設をいう。
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