[SKハイニックスの10ナノ級5世代DDR5、データセンター互換性検証に突入]
SKハイニックスは10ナノ級5世代(1b)技術が適用されたサーバー用DDR5をインテルに提供し、インテルデータセンターメモリー認証プログラム検証手続きに突入したと30日、明らかにした。
このプログラムはインテルのサーバー用プラットフォーム(ハードウェアとソフトウェア技術が集約されたコンピューティングシステム)であるゼオン（Xeon）スケーラブルプラットフォームに使用されるメモリ製品の互換性を公式認証する性格を持っている。
今回インテルに提供されたDDR5製品は動作速度が6.4Gbps(1秒当たり6.4ギガビット)で、SKハイニックス技術陣は現在市場に出ているDDR5の中で最高速度を具現したと説明した。 これはDDR5初期の試作品(4.8Gbps)よりデータ処理速度が33%向上した。
また、会社は今回の1b DDR5に「HKMG(High-K Metal Gate·誘電率(K)が高い物質をDラムトランジスタ内部の絶縁膜に使用して漏洩電流を防ぎ静電容量を改善した次世代工程)」工程を適用し、1a DDR5対比電力消耗を20%以上減らした。
SKハイニックスのキム·ジョンファン副社長(DRAM開発担当)は“今年下半期からメモリ市場状況が改善されるという展望が出ている中、会社は1b量産など業界最高水準のDラム競争力を土台に、下半期実績改善を加速化するだろう”とし、“来年上半期には最先端1b工程をLPDDR5T、HBM3Eにも拡大適用する”と明らかにした。
HBM3EはHBM3の次世代である第5世代製品で、SKハイニックスは今年下半期に8Gbpsデータ伝送性能を備えたHBM3E製品サンプルを準備し、来年量産する予定だ。
<亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。>
