[サムスン電子、世界最高容量「第8世代V-NAND」量産開始]
サムスン電子が世界最高容量の「1Tb(テラビット)第8世代V-NAND」量産を開始したと7日、明らかにした。
サムスン電子「1Tb TLC第8世代V-NAND」は業界最高水準のビット密度(Bit Density)の高容量製品で、ウェハー当りビット集積度が前世代より大幅に向上した。 ビット集積度(Bit Density)は単位面積当たり貯蔵されるビット(Bit)の数を意味する。
第8世代V-NANDは最新NANDフラッシュインターフェース「Toggle DDR 5.0」が適用され、最大2.4Gbpsのデータ入出力速度を支援する。 これは第7世代V-NANDに比べ、約1.2倍向上した水準だ。 また、第8世代V-NANDはPCIe 4.0インタフェースを支援し、今後、PCIe 5.0まで支援する計画である。
サムスン電子は、第8世代V-NANDを前面に押し出し、次世代エンタープライズサーバー市場の大容量化を主導すると同時に、高い信頼性を要求する自動車市場まで事業領域を広げていく方針だ。
サムスン電子は今回の第8世代V-NANDに続き、2年後の2024年に第9世代V-NANDを開発し量産する計画だと具体的なロードマップを提示した状態だ。 また、2030年までにデータ貯蔵装置であるセルを1000段まで積むV-NANDを開発すると抱負を明らかにした。 これは従来の176段である第7世代V-NANDより5倍以上貯蔵できる製品だ。
このようなサムスン電子の半導体開発は、グローバル競争企業と「技術超格差」を維持するという戦略と分析される。 サムスン電子の李在鎔（イ·ジェヨン）会長は今月初め、会長に就任し、技術の超格差の維持と未来成長動力の確保に重点を置くと明らかにした。
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