[SKハイニックス、「EUV活用」Dラムの初量産…"半導体の供給難解消の期待"]
SKハイニックスが初めて極紫外線(EUV)工程を活用したDラムの量産に始動をかけた。
12日、SKハイニックスによると、会社は10ナノ級4世代(1a)の微細工程を適用した8Gb(ギガバイト)LPDDR4モバイルDラムの量産を今月初め、スタートした。
LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)は移動式デバイス用に開発された省電力Dラムだ。DDRはJEDEC(国際半導体標準協議機構)で規定したDラムの標準規格名称で、DDR1-2-3-4に世代が変わった。
半導体業界は10ナノ台のDラムから世代別にアルファベット記号を付けて呼称しているが、1x(1世代)、1y(2世代)、1z(3世代)に続き、1aは4世代技術である。1a技術が適用されたモバイルDラム新製品は下半期からスマートフォンメーカー各社に供給される予定だ。
特に、今回の新製品はSKハイニックスのDラムの中で初めて極紫外線(EUV)工程技術を通じて量産されるという点で意味が大きい。先立って、SKハイニックスは1y(2世代)製品の生産過程でEUVを一部導入して安定性を確認した。
最近、半導体企業各社は工程が極度に微細化されたことによって、ウェハーに回路パターンを描くフォト工程にEUV装備を相次いで導入している。業界は今後、EUV活用水準が技術リーダーシップの優位を決定する重要な要素になるものと見込んでいる。
SKハイニックスは今回にEUVの工程技術の安定性を確保しただけに、今後、1a Dラムすべての製品はEUVを活用して生産する計画だ。
何より新製品の「生産性向上」により、コスト競争力を高めるものと期待している。1a Dラムは以前の世代(1z)のような規格製品よりウェハー1枚で得られるDラム数量が約25%増加する。これに今年,
全世界的にDラム需要が増え、加重されているグローバルメモリー半導体の供給難に1a Dラムが大きな役割をするものと期待される。
SKハイニックスの関係者は"当初、今年下半期に予告していたEUV活用のDラム製品の量産が7月から本格化したもので、今後、半導体の供給難解消と微細工程競争力で優位を占めることができるだろう"とし、"2月に今後5年間、4兆7549億ウォンを投資してEUV露光装備を購入する契約をオランダ「ASML」と締結した点も鼓舞的"と説明した。
今回の新製品はLPDDR4モバイルDラム規格の最高速度(4266Mbps)を安定的に具現しながらも、従来の製品に比べて電力消費を約20%減らした。省電力強みを補強し、炭素排出を減らすことができ、環境・社会・支配構造(ESG)経営にも意味がある。
SKハイニックスは今回のLPDDR4製品に続き、昨年10月、世界で初めて発売した次世代DラムのDDR5には来年初めから1a技術を適用する予定だ。
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