中国のメモリ半導体のリーダーである創新メモリーテクノロジー（CXMT）は、5世代技術プラットフォームの量産を開始したと発表し、グローバルメモリ市場でサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンテクノロジーなどの業界リーダーと競争できる技術的な突破口を確保したと主張した。
20日、中国メディアの鳳凰新聞とロイターによると、CXMTは同日、中国安徽省合肥で開催された『2026世界製造業大会』で5世代技術プラットフォームの量産を正式に発表した。
CXMTは新しいプラットフォームを通じて、従来よりも低コストかつ低電力でより高性能のメモリチップを生産できると説明した。
具体的には、新しいプラットフォームではメモリチップ内部のデータ保存領域をより密にし、回路間隔を11.95ナノメートルまで縮小した。このため、同じ製造プロセスを何度も繰り返してより微細な回路パターンを作る『クアドラプルパターニング』技術を適用した。
ロシャオドンCXMT副社長は「現在の我々のプロセス技術レベルは業界で量産されている最も先端のプロセスと同等である」と述べた。
CXMTは今回の微細化プロセスの進展により、メモリ集積度も大幅に向上したと伝えた。CXMTによると、5世代プラットフォームは4世代プラットフォームよりもウェーハ1枚あたりの生産チップ数が最小50%増加した。これにより、製品の電力効率とコスト競争力も改善されたという。
CXMTは5世代プラットフォームを基にした24Gb（ギガビット）LPDDR5X製品2種も公開した。LPDDR5Xはスマートフォンなどのモバイル機器に主に使用される低電力DRAMである。2つの製品はすべて、従来の同クラス製品よりも50%多くのデータを保存でき、すでに量産に入っており、中国の主要スマートフォンメーカーのフラッグシップ製品に供給される予定であると明らかにした。
CXMTは今回の量産を契機に、グローバルメモリ市場での供給網の多様化に貢献できると期待している。
CXMTの今回の技術進展は、アメリカの対中半導体輸出規制が続く中、中国が外国技術への依存度を低下させようとする動きと関連している。アメリカは2022年以降、中国の先端半導体や半導体製造装置、関連ソフトウェアへのアクセスを制限してきた。
CXMTは最近、グローバルDRAM市場でのシェアを急速に拡大し、サムスン電子とSKハイニックスの追撃に加速をかけている。市場調査会社カウンターポイントリサーチによると、CXMTのグローバルDRAM市場シェアは昨年2四半期の4%から今年2四半期には10%に上昇した。
CXMTの今年上半期の売上高は前年同期比約10倍に増加し、純利益も黒字に転換した。
ゴールドマン・サックスはCXMTが2028年までに中国のDRAM需要の約半分を供給し、中国国内のHBM需要の最大40%を担当する可能性があると予測している。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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