アメリカ連邦準備制度（Fed・連邦準備銀行）の金利上昇により、グローバルな緊縮財政の波が再び高まっているが、国内半導体業界が受ける衝撃はわずかに留まると予想されている。サムスン電子とSKハイニックスは、堅固な長期供給契約と強力な現金流動性、高帯域幅メモリ（HBM）中心の供給者優位市場構造という『3重防御』を構築しており、高金利の影響を相殺できるとの診断が下されている。
17日、外信と業界によると、米連邦準備制度は2日間にわたって開催された連邦公開市場委員会（FOMC）を通じて、基準金利を年3.75～4.00％に0.25ポイント引き上げることを決定した。これは2023年7月以来、3年2ヶ月ぶりの金融引き締め措置である。
今回の決定により、グローバルな資金引き締めが再び始まったが、サムスン電子とSKハイニックスの供給網に及ぼす影響は、茶碗の中の微風に過ぎないとの専門家の分析がある。堅固な契約構造が最大の支えとなっている。金利上昇は通常、ビッグテック企業の投資を萎縮させる要因とされるが、グーグル・マイクロソフト（MS）・メタなどのサーバー用メモリの多くは最大5年単位の長期供給契約（LTA）で束縛されているためである。LTAの特性上、短期的な金利変動や資金事情の悪化を理由に即座に注文量を調整したり契約を解除したりすることは容易ではないとの業界の見解がある。
イ・ジョンファン・上明大学システム半導体工学科教授は「ビッグテックのAIインフラ投資は短期金利政策に揺らぐ揮発性事業ではない」とし、「すでに締結されたLTAの量だけでも、国内半導体企業の短期的な業績変動性は十分に吸収される」と診断した。
供給面で懸念される設備投資の萎縮も影響を受けない雰囲気である。今年上半期末時点で、サムスン電子とSKハイニックスの現金性資産及び短期金融商品合算額は約278兆ウォンに達する。半年で117兆ウォンほどの現金をさらに積み上げた結果である。特にSKハイニックスは高金利基調の中で借入金を減らし、純現金を増やすなど、財務健全性を一層強化した。
高金利の影響で外部調達金利が急騰する中でも、両社は次世代プロセスへの転換と新工場建設を滞りなく推進できる財務的な実弾を完璧に確保している。
高付加価値メモリである高帯域幅メモリ（HBM）中心の供給者優位構造も国内業界に有利に働いている。AIサーバー用HBM需要の急増により、製造業者がその生産ラインに集中し、一般的な汎用DRAM供給もタイトに維持される好循環構造が形成されている。業界は米連邦準備制度の金利上昇の中でも、特定のビッグテックが購入をためらう場合、即座に競合他社に量を奪われる構造であるため、顧客が簡単に注文を減らすことは難しいと予測している。
韓国銀行は今月初め、通貨信用政策報告書を通じて「グローバルな緊縮基調の中でも、国内経済の堅調な成長を支える核心的な動力は半導体輸出と設備投資の好調である」とし、「特にHBMなど高付加価値メモリ中心の構造的需要がマクロ経済の緊縮ショックをかなり相殺する防御壁の役割を果たしている」と評価した。
キム・デジョン・セジョン大学経営学科教授は「AIサーバーの主導権競争が激しい中で、核心メモリ供給網の確保はグローバルビッグテックの生存問題である」とし、「米連邦準備制度の金利上昇というマクロ経済的悪材料がK-半導体が構築した強固な需給構造と業績の堅調さを揺るがすことは難しいだろう」と強調した。
* この記事はAIによって翻訳されました。
