2026. 07. 14 (火)

韓米半導体、2四半期営業利益1303億ウォン…前年比51%増

  • 売上2511億ウォン・営業利益率51.9%…四半期最大実績

  • 「HBM需要拡大に成長加速…次世代製品開発も」

韓米半導体 2.5D TCボンダ 40
韓米半導体、2.5D TCボンダ 40 [写真=韓米半導体]

韓米半導体は、人工知能(AI)半導体への投資拡大により、創業以来最大の四半期実績を達成した。高帯域幅メモリ(HBM)生産の核心機器であるTCボンダの需要が急増し、次世代HBM4への投資も本格化したことで、グローバル半導体機器業界で最高水準の収益性を確保した。

韓米半導体は、2026年2四半期の連結基準で売上2511億ウォン、営業利益1303億ウォンを記録したと14日に発表した。前年同期比で売上は39.5%、営業利益は51.0%増加した。営業利益率は51.9%で、四半期基準で過去最高を記録した。

今回の実績は、AI半導体市場の拡大に伴うHBM生産設備への投資増加が牽引した。韓米半導体は現在、HBM積層工程の核心機器であるTCボンダ市場でグローバル1位の事業者である。グローバルメモリ企業が今年HBM4の量産に入ったことで、新規機器供給が拡大し、MSVP(マイクロソー・ビジョン・プレースメント)機器の需要も増加した。

HBMへの投資は当分の間続く見込みである。主要メモリ企業が今年末から次世代HBM4Eの量産準備を進めており、12層・16層積層に対応する次世代TCボンダの需要も拡大する見通しである。

グローバルメモリ企業の投資も相次いでいる。マイクロンはHBM生産能力拡大のため、台湾のAUOとPSMCの生産施設を買収した後、シンガポールやアメリカのアイダホ、ニューヨークなどにHBMパッケージング生産施設を拡大している。最近では、日本の広島でのパッケージング投資とともに、アメリカの半導体投資規模を従来の2000億ドルから2500億ドルに拡大すると発表した。

韓米半導体も次世代製品の開発を加速している。同社は今年末に2世代ハイブリッドボンダの試作品を公開し、来年上半期にはワイドTCボンダを発売する計画である。2世代ハイブリッドボンダは2029年以降に本格化する見込みの16層以上HBM市場をターゲットにした製品である。

AIシステム半導体パッケージング市場への攻勢も強化する。韓米半導体は今年「2.5D TCボンダ 40」、「FCボンダ 3.5」、「FCボンダ 75」などの2.5Dパッケージング機器を発売し、グローバルファウンドリや後工程(OSAT)企業に供給している。最近、AI半導体パッケージングにパネルレベルパッケージング(PLP)が適用される傾向が広がり、関連機器の需要も増加している。

韓米半導体の関係者は「AI半導体市場の変化に合わせて2.5Dパッケージング機器の供給を拡大している」と述べ、「高度化するAIパッケージング市場に適時に先端機器を供給し、成長を続けていく」と語った。




* この記事はAIによって翻訳されました。
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