[サムスン電子、平沢NAND型フラッシュ生産ラインの増設へ…8兆ウォン規模]
サムスン電子が平沢(ピョンテク)半導体事業所にNAND型フラッシュ生産ラインを追加構築し、来年下半期に第7世代VNAND型の量産を開始する。 業界では投資規模を7~8兆ウォンと推算している。
サムスン電子は先月、平沢第2ラインにNAND型フラッシュ生産のためのクリーンルーム工事に着手し、2021年下半期に量産を始める計画だと1日、明らかにした。
今回の投資はAI、IoTなど第4次産業革命の到来と5Gの普及による中長期のNAND需要の拡大に対応するためだ。
最近、「アンタクト」ライフスタイルの拡大でこうした傾向がさらに加速すると予想される中、サムスン電子は積極的な投資で、未来市場の機会を先取りしていくという戦略だ。
2015年に造成された平沢キャンパスはサムスン電子の次世代メモリー前哨基地として世界最大規模の生産ラインが2つ建設された。 今回の投資で増設されたラインではサムスン電子の最先端V NAND製品が量産される予定だ。
サムスン電子は2002年、NAND型フラッシュ市場でトップになり、現在まで18年以上、独歩的な製造、技術競争力でグローバル市場のリーダーの座を守っており、昨年7月、業界初の第6世代(1xx段)VNAND製品を量産している。
サムスン電子のチェ・チョルメモリー事業部戦略マーケティング室副社長は"今回の投資は不確実な環境の中でもメモリーの超格差をさらに広げるための努力"とし、"最高の製品で、顧客の需要に支障なく対応することで、国家経済とグローバルIT産業の成長に寄与する"と述べた。
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