[SKハイニックス、業界最高層「176段4Dナンド」開発…来年半ばに量産]
SKハイニックスがナンドフラッシュ競争力強化に速度を出している。
SKハイニックスが業界最高である176段512Gb(ギガビット)TLC(Triple Level Cell)4Dナンドフラッシュを開発したと7日、明らかにした。 SKハイニックスは製品をソリューション化するため、先月、コントローラ会社にサンプルを提供した。
ナンドフラッシュは電源を切ってもデータが維持される不揮発性メモリである。 平面構造である2D製品の量産が主流だったが、2010年に入り、垂直に積み上げた3D製品が主流となった。 ここで空間効率をさらに高めたのが4Dナンドフラッシュだ。
SKハイニックスは96段ナンドフラッシュからチャージ・トラップ・フラッシュ(CTF、Charge Trap Flash)と独自の技術PUC(Peri Under Cell)を適用した4Dナンドフラッシュ製品を市場に披露している。 セル作動を管掌する周辺回路をセルの下に移し、空間効率性を高めた。 屋外駐車場を地下駐車場に変更したのと似た原理だ。
今回開発した176段ナンドは3世代4D製品だ。 4D製品のうち、3番目という意味で、1世代は96段、2世代は128段だった。 SKハイニックスは今回の開発で、業界最高水準のウエハー当たり生産チップ数を確保することになったと説明した。 これを通じて、ビット生産性は以前の世代より35%以上向上され、差別化された原価競争力を高めることができるようになった。
2分割セル領域選択の技術を新たに適用し、セル(Cell)での読み取り速度は以前の世代より20%速くなった。 また、工程数の増加なく、速度を高められる技術も適用し、データ伝送速度は33%改善された1.6Gbpsを具現した。
ナンドフラッシュは階数が高まり、セル内部の電流減少、階間ねじりや上下積層整列の不良によるセル分布劣化現象などが発生することになる。 SKハイニックスはそのような困難を△セル上下階の間の高さの減少技術 △層別変動タイミング(Timing)制御技術 △超精密整列(alignment)補正など革新的な技術で克服し、業界最高水準の176段ナンドを開発したと説明した。
また、176段4Dナンド基盤で容量を2倍高めた1Tb(テラビット)製品を連続的に開発し、ナンドフラッシュ事業競争力を高めていく方針だ。
SKハイニックスは来年3四半期に従来のモデルより最大の読み取り速度約70%、最大書き込み速度約35%が向上したモバイルソリューション製品の量産に乗り出す計画だ。 さらに、消費者用のソリッドステート・ドライブ(SSD)と企業用SSDを順次発売するなど応用先別の市場を拡大していく予定だ。
一方、SKハイニックスは最近、インテルんおナンドフラッシュ事業部門を10兆3000億ウォンに買収すると発表した。 世界2位生産のDラムに比べてやや低迷したナンドフラッシュ事業を強化するためだ。
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