[SKハイニックスの128段ナンド搭載された5Gスマートフォン発売か]
SKハイニックスのメモリー半導体128段1Tb(テラバイト)の4Dナンドが搭載された5世代移動通信(5G)スマートフォンが来年下半期に発売される見通しだ。
20日、SKハイニックスのニュースルームによると、会社は今月、128段ナンド基盤のモバイル用のソリューションである「1TB(テラバイト)UFS 3.1」サンプルを主要スマートフォン製造社に伝達した。
SKハイニックスはニュースルームで、"1TB UFS 3.1は超薄型5Gスマートフォンに最適化されたソリューション"とし、"この製品を搭載したスマートフォンが来年下半期に生産される予定"と説明した。
先立って、SKハイニックスは6月、128段4Dナンド世界初の開発を発表し、それを活用したソリューション製品を発売する計画だと明らかにしている。
ソリューションを使用すれば、512Gb(ギガビット)ナンドを使用する場合に比べ、必要なチップの数が半分に減って、より薄い厚さでスマートフォンを具現できるというのが会社の説明だ。
SKハイニックスは今年3四半期の業績発表コンファレンスコールで、中国の政府補助金の拡大、中低価の5Gスマートフォン普及拡大などで来年、関連メモリー半導体の需要が急激に成長すると予測した。
そして、"5Gスマートフォン(市場)が今年数千万台未満だったら、来年は2億台以上であるだろう"と展望した。
SKハイニックスはまた、ニュースルームで128段1Tb 4Dナンドを適用したPC用製品の2TB cSSDデータセンタ向け製品e1。L 16TB eSSDなどのサンプルも最近、顧客社に伝達したと明らかにした。
供給された製品が顧客会社の認証を通過すれば、SKハイニックスは該当製品を本格的に量産することになる。 パソコン用は来年上半期、データセンター用は来年下半期採用される見通しだ。
一方、サムスン電子は7月、100段以上のセルを一つの構造に完成した6世代(1xx)VナンドとSSD量産を開始した。
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