SKハイニックスが業界最高速「HBM2E」Dラムの開発に成功したと12日、明らかにした。
HBM2Eは既存のDラムよりデータ処理速度を革新的に引き上げたHBM Dラムの次世代製品だ。 以前の規格であるHBM2に比べ、処理速度を50%高めた。
HBM2Eは3.6ギガビット(Gbit/s)の処理速度を実現することができ、1024つの情報出入口(I/O)を通じて1秒当たり460GByteのデータ処理が可能だ。
これはフルHD級の映画(3.7GB)124本分量のデータを1秒で処理できる水準だ。 容量は単一製品を基準で、16Gbチップの8つをTSV(Through Silicon Via)技術で垂直連結し、16GBを実現した。
HBM2Eは超高速特性が必要な高性能グラフィック処理装置(GPU)をはじめ、マシンラーニングとスーパーコンピュータ、人工知能(AI)など4次産業基盤システムに適合したハイスペックなメモリーソリューションだ。
HBMはメモリーチップをモジュールの形で作り、メインボードに連結する通常の方式ではなく、チップ自体をGPUのようなロジックチップなどに数十マイクロメーター(um)間隔で近く装着する。 これでチップ間の距離を短縮させ、さらに速いデータ処理が可能になる。
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