[サムスン電子、世界初「3世代10ナノ級Dラム」開発…「超高速・超節電」]
サムスン電子は世界で初めて「3世代10ナノ級(1z)8ギガビット(Gb)ダブルデータレート(DDR)4 Dラム」を開発したと21日、明らかにした。
2017年、2世代10ナノ級(1y)Dラムの量産に成功してから16ヵ月ぶりに3世代製品を披露し、自ら打ち出した「初」記録をまた更新した。
サムスン電子は2016年2月、世界で初めて1世代10ナノ級(1x)8Gb DDR4の量産に成功し、10ナノ台に進入した。 競争会社らが10ナノ級Dラムの大量量産に困難を経験する中、初めて10ナノの生産に成功したのだ。 何より2017年の2世代と今年の3世代まで開発を完成し、独歩的な競争力を備えたという評価だ。
3世代製品は極紫外線(EUV)装備を使用しなくても以前の世代に比べ生産性を20%以上向上させた。 作動速度が上昇し、電力効率がさらに改善したのが特徴だ。
EUV機器を活用すれば、半導体の高性能と生産性を同時に確保することができる。 しかし、1台当たり1500ウォン余りに達する高い価格と技術開発難易度が高く、適用が容易ではない。
サムスン電子は3世代10ナノ級(1z)Dラム基盤のPC用DDR4モジュールで、グローバル中央処理装置(CPU)会社のすべての評価項目で承認を完了したとも明らかにした。 これでグローバル情報技術(IT)顧客の需要を本格的に拡大していくことができるようになった。
サムスン電子は今年上半期に量産に突入し、2020年には性能と容量を同時に高めた次世代Dラム(DDR5・LPDDR5位)を本格的に供給するなどプレミアムメモリー技術のリーダーシップをさらに強化していく計画だ。
実際、サムスン電子は顧客会社の供給要求レベルを反映し、京畿道平沢(キョンギド・ピョンテク)の最新Dラム生産ラインで、主力製品の生産比重を拡大している。 特に来年は次世代プレミアムDラムの需要拡大を反映し、平沢生産ラインに安定的な量産体制を構築することにした。
また、グローバル主要顧客と次世代システムの開発段階から積極的に協力し、グローバル市場を次世代ラインアップへ早く転換させていく予定だ。
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