[SKハイニックス、世界初のCTFベースの96段4D NAND型開発..."30％小さく、30％速い"]
SKハイニックスが世界初の4D NAND型フラッシュの開発に成功した。既存の3D NAND型に比べて30％以上小さなチップ1つに64GB（ギガバイト）を貯蔵することができ、大容量ストレージデバイスの具現が可能になる見通しだ。
4日、SKハイニックスの関係者は“先月末、世界初のCTF（Charge Trap Flash）とPUC（Peri Under Cell）を結合した4D NAND型構造の96段512Gb（ギガビット）TLC（Triple Level Cell）NAND型フラッシュの開発に成功し、年内に量産に入る”と述べた。
SKハイニックスの4D NAND型の特徴は従来のフローティングゲート（Floating Gate）セル構造にPUCを組み合わせた方式とは違って、3D NAND型に採用されているCTFセル構造とPUC技術を結合した点である。
既存の2D NAND型に主に適用されたフローティングゲートの場合、導体で構成されたそれぞれのセルに電子を入れたり、外したりする方式でデータを区分した。しかし、電流回路のサイズが小さくなるほど、セル間の干渉が増える物理的な限界があった。CTFは導体を絶縁性の高い不導体に置き換えてこれを源泉的に解決した。
PUC技術は周辺部（Peri）回路をセル領域の下部に配置される技術である。マンションの屋外にあった駐車場をマンションの地下に移し、スペース効率を最大化するものと考えればよい。SKハイニックスの関係者は“CTFベースでは初めてPUCを導入したという差別性を強調するため、この製品を「CTFベースの4D NAND型フラッシュ」と命名した”と明らかにした。
4D NAND型は従来の72段の製品に比べ、読み取りと書き込み性能がそれぞれ30％、25％向上した。この製品は従来の72段512Gb 3D NAND型よりチップのサイズは30％以上減少したが、ウェハ当たりのビット生産量は1.5倍に増加した。また、個々のチップ内部にプレーン（Plane）を4つ配置し、同時処理可能なデータを既存の2倍の64KB（キロバイト）に増やした。
SKハイニックスは96段512Gb 4D NAND型を搭載した最大1TB（テラバイト）の容量の消費者向けSSDを年内にまず披露した後、企業SSDも順番に披露する予定だ。
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