[サムスン電子、世界初「8Gb LPDDR5 Dラム」開発]
サムスン電子が世界初の8Gb(ギガビット)容量のLPDDR5 Dラムを開発することに成功した。 2014年、8Gb LPDDR4 Dラムを量産してから4年ぶりに次世代LPDDR5時代を開いたのだ。
サムスン電子は次世代の5G(5世代)スマートフォンとモバイル人工知能(AI)市場を主導する「10ナノ級8Gb LPDDR5 Dラム」を世界で初めて開発したと17日、明らかにした。
サムスン電子は昨年12月、業界で初めて10ナノ級Dラム基盤の16Gb GDDR6 Dラムを量産したのに続き、今年2月、16Gb DDR5 Dラム、4月、8Gb LPDDR5 Dラムの開発を完了し、次世代の市場を主導するプレミアムDラムラインアップを構築することになった。
今回「10ナノ級8Gb LPDDR5 Dラム」は現在のフラッグシップスマートフォンに搭載されたモバイルDラム(LPDDR4X、4266Mb/s)より1.5倍速い6400Mb/sの動作速度を実現した製品だ。 これは1秒にフルHD(高画質)級の映画(3.7Gb)約14編容量の51.2Gbのデータを伝送できる速度だ。
サムスン電子は今回の製品を通じて一段階高いプレミアムDラム時代を開き、次世代モバイル、オートモーティブ市場を同時に創出する計画だ。
8Gb LPDDR5 Dラムは1.1Vで6400Mb/sで動作する製品と1.05Vで5500Mb/sで動作する製品2つのラインナップで構成され、次世代スマートフォンや自動車用システム市場に最適のソリューションを提供する。
また、データを保存する全体セル領域で単位あたりの管理区域を16つ(8Bank→16Bank)に増やし、データ処理速度は高め、消費電力は減らした。 超高速特性を確保するため、高速動作を検証する回路も搭載した。
特に待機モード(Idle)では超節電動作モードで、既存の製品より消費電力量を最大30%減らし、スマートフォンの性能向上はもちろん、バッテリー使用時間もさらに増やすことができる。
サムスン電子はこれを基盤にフルHDより4倍高画質のUHD(超高画質)基盤のAIとマシンラーニングを安定的に具現する「超高速・超節電・超スリム」ソリューションを提供できるようになった。
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