[サムスン電子、世界初の90段隊Vナンドの量産開始]
サムスン電子が世界初の次世代ナンドインターフェース技術を適用し、業界最高速度を具現した「256ギガビット(Gb)5世代Vナンド」を本格的に量産する。
世界ナンド市場で40%台のシェアで独走しているサムスン電子は今回の新製品の量産で、中国などの競合会社と「超格差」を維持して立地をさらに強化する見通しだ。
サムスン電子は5世代Vナンドに独自開発した3大革新技術を利用して「3次元CTFセル」を90段以上積む世界最高の積層技術を商用化したと10日、明らかにした。 今回適用された3大革新技術は△超高速・低電圧動作回路設計 △高速書き込み・最短読み取り応答待機時間回路設計 △タングステン原子層薄膜工程などだ。
サムスン電子によると、5世代Vナンドは次世代ナンドインタフェースである「トグルDDR 4.0規格」を初めて適用した製品で、1秒当たりのデータ伝送速度が4世代比1.4倍早い。
メモリーセルの断層をピラミッド模様を積んだ後、最上段から最下段まで数百㎚(ナノメートル)の直径の小さな穴を開け、データを保存する3次元CTFセルを850億個以上形成した歴代最高難易度の技術が適用された。
特に段数と比例して高くなるセル領域の高さを20%も下げる独創的な技術で、生産性を4世代製品より30%以上高めた。
サムスン電子はスーパーコンピュータ、エンタープライズサーバ、モバイルなどの市場で5世代Vナンドの需要拡大に対応して生産比重を拡大することで、高容量化トレンドを主導するという方針だ。
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