[サムスン電子、7兆5000億ウォン規模の西安半導体の2期ライン建設…来年の完成目標]
サムスン電子が来年の完成を目指し、中国西安半導体の2期ラインを建設する。
計70億ドル(7兆5000億ウォン)規模の今回の投資で、3D(3次元)ナンドフラッシュ(V-NAND)の需要増加に対応し、中国の地域経済の活性化とグローバルIT(情報技術)市場の成長に寄与するという計画だ。
サムスン電子は28日、中国陝西省西安市で「サムソン 中国半導体メモリー第2ラインの起工式」を実施したと明らかにした。
先立って、2017年8月、サムスン電子は西安半導体2期ラインへの投資を向けて陝西省とMOU(了解覚書)を締結したことがある。 中国をはじめとしたグローバルナンドフラッシュの需要に積極的に対応するためだ。 中国はグローバルモバイル、ITメーカーの生産基地が集中していて、世界最大のナンドフラッシュの需要先に位置づけられている。
サムスン電子が西安半導体事業場の拡張に投資を惜しまない理由だ。 これらは西安半導体事業場に2012年1期の起工式を皮切りに、2013年の電子研究所設立、2014年の1世代ナンドフラッシュ量産、2015年の後工程ラインの完工、今年2期ラインの増設まで地道な投資を続けてきている。
業界の関係者は"サムスン電子の西安半導体事業場に対する投資はサムスン電子だけでなく、現地の地域経済の活性にも大きな助けとなっている"、"特に今回の追加投資で西安市をはじめとする中国西部地域産業にも肯定的な波及効果が予想される"と話した。
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