[サムスン電子、10ナノ2世代FinFETの工程開発で市場競争力強化]
サムスン電子が「10ナノ2世代FinFET工程」開発を完了して顧客社の確保に乗り出す。
サムスン電子は20日、性能と省電力特性を強化した10ナノ2世代FinFET工程開発を完了したと明らかにした。
10ナノFinFET工程はサムスン電子が昨年10月、業界初の量産に成功した技術だ。 今回の10ナノ2世代の工程(10LPP)は従来の1世代の工程(10LPE)より性能と電力効率がそれぞれ10%、15%向上されたと会社側は説明した。
サムスン電子はこの工程を自社の「エクシノス9」とクアルコムの「スナップドラゴン835」などプレミアムモバイルAPの量産に適用し、10ナノ市場を主導している。 特に「エクシノス9」はサムスン電子の最新型スマートフォン「ギャラクシーS8」に搭載されている。
サムスン電子は10ナノ2世代の工程を通じてファウンドリー顧客を多角化してコンピューティング、ウェアラブル、IoT(モノのインターネット)、ネットワークなど応用先を拡大していく計画だ。
また、10ナノファウンドリーの需要増加に備えるため、今年4四半期までに火星キャンパスに位置したS3ラインに10ナノ生産設備を増設、より安定的な量産体制を構築する予定だ。
<亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。>
