SKハイニックスが業界最高の「3Dナンドフラッシュ技術」の開発を完了し、世界メモリー半導体市場で技術的優位をより一層強固にするようになった。
SKハイニックスは72段256Gb(ギガビット)TLC(トリプルレベルセル)3Dナンドフラッシュの開発に成功し、今年下半期から量産を開始すると10日、明らかにした。
以前まではサムスン電子が昨年末に量産を開始した64段ナンドフラッシュが業界最高の技術に挙げられてきた。
これでSKハイニックスはサムスン電子との技術格差を縮め、中国メーカーが乱立しているメモリー半導体市場で競争力を強化することになった。 サムスン電子とSKハイニックスはナンドフラッシュをはじめ、世界のメモリー半導体分野でそれぞれ1、2位を走っている。
今回にSKハイニックスが開発に成功した製品は従来の48段3Dナンドよりデータを保存するセル(Cell)を1.5倍もっと積んだもので、チップ一つに保存できる容量が高画質の映画約20本に該当する32GBに上る。
SKハイニックスは従来の量産設備を最大限活用して、現在量産中の48段の製品より生産性を30%向上し、チップ内部に高速回路設計を適用、内部動作速度を2倍引き上げて、読み取りと書き込みの性能を20%ほど引き上げたと説明した。
SKハイニックスは昨年2四半期から36段128Gbナンドの供給を開始し、同年11月からは48段256Gbのナンドを量産し始めるなどの技術開発期間を徐々に短縮している。
SKハイニックスはこの製品をSSDやスマートフォンなどのモバイル機器用のナンドフラッシュソリューション製品に適用するための開発を進めている。 高性能、高信頼性、省電力の具現が可能で、3Dナンド基盤のソリューション事業の競争力を一層強化することができるものと期待される。
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